Ruojian Zhang
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BIOGRAFIE

Ruojian Zhang, ein zugelassener "Patent Agent", vereint auf einmalige Weise beträchtliche Recherchiererfahrungen mit einer praktischen Ingenieurausbildung. Er kann auf fortgeschrittene technische Studienabschlüsse und Forschungsarbeiten in der Mikrowellentechnologie und Festkörperelektronik sowohl in seinem Vaterland China als auch in den USA verweisen, darunter auf Forschungstätigkeiten in der Festkörperelektronik zur Erlangung eines Doktortitels. Darüber hinaus besitzt er 10 Jahre praktischer Ingenieurerfahrungen, vornehmlich in der Telekommunikation, in Computersystemen sowie in Softwaredesign und -entwicklung.

Er wurde für seine hervorragenden Beiträge zu Hochtechnologie-Start-up-Firmen, aber auch zu etablierten Unternehmen wie Cisco Systems und Nortel Networks anerkannt. Ruojian Zhang ergreift alle Maßnahmen, die erforderlich sind, um das geistige Eigentum von Mandanten für deren theoretische und strategische Anwendung und die unmittelbaren Folgen für die geschäftlichen Ziele der Mandanten zu bewerten und zu schützen. Als chinesischer Muttersprachler (Mandarin) versteht er die Anforderungen sowohl asiatischer als auch US-amerikanischer Mandanten, die in Asien geschäftlich tätig sind.

AUSBILDUNG

1987 schloss er ein Studium der Elektrotechnik an der Universität Nanjing, VR China, mit dem akademischen Grad eines B.S. ab, und die gleiche Universität verlieh ihm 1990 ein Master's Degree in Elektrotechnik mit einer Spezialisierung auf Mikrowellen- und Elektromagnetfeldtechnologie. 1995 beendete er ein Studium an der Southern Methodist University mit einem Master's Degree und einer Spezialisierung auf Festkörperelektronik. Des Weiteren hat er an der Southern Methodist University wichtige Forschungsarbeit geleistet und sowohl die schriftlichen als auch die mündlichen Prüfungen für eine Promotion in Elektrotechnik bestanden.

ZULASSUNGEN UND MITGLIEDSCHAFTEN

Ruojian Zhang ist als Anwalt vor dem Patent- und Markenamt der USA zugelassen.

VERÖFFENTLICHUNGEN

Er hat eine Reihe technischer Arbeiten veröffentlicht:

• Butler, C. und Zhang, R., l/f Noise and Electromigration in Multi-Layered VIA Structures, 39 Solid State Electronics 281 (1996).
• Zhang, R. und Butler, C., Detection of Via Electromigration in VLSI Circuit Metallizations by 1/f Noise Measurements, Six Quantum 1/f Noise and Other Low Frequency Fluctuations in Electronic Devices Symposium, S. 70 (1994).